Фасьфід інду
Фасьфі́д і́нду (InP) — злучэньне інду і фосфару. Простазонны паўправаднік з шырынёй забароненай зоны 1,34 эВ пры 300 K. Высокачастасьцевымі ўласьцівасьцямі пераўзыходзіць аршэнід галю.
| Фасьфід інду | |
 | |
 Хімічная структура | |
| Назвы | |
|---|---|
| Іншыя назвы | Фасьфід інду(III) |
| Агульныя | |
| Хімічная формула | InP |
| Зьнешні выгляд | чорныя кубічныя крышталі |
| Фізычныя характарыстыкі | |
| Малярная маса | 145,792 г/моль |
| Шчыльнасьць | 4,81 г/см³ |
| Тэрмічныя характарыстыкі | |
| Тэмпэратура плаўленьня | 1062 °C |
| Малярная цеплаёмістасьць | 45,4[2] Дж/(моль·К) |
| Цеплаправоднасьць | 0,68 Вт/(м·K) |
| Энтальпія ўтварэньня | -88,7 кДж/моль |
| Хімічныя характарыстыкі | |
| Растворнасьць у кісьлі | слаба растваральны[3]г/100 мл |
| Аптычныя характарыстыкі | |
| Паказальнік пераламленьня | 3,1 (інфрачырвоны); 3,55 (632,8 нм)[4] |
| Структура | |
| Каардынацыйная геамэтрыя | чатырохграньнік |
| Крышталічная структура | цынкавы падабняк |
| Клясыфікацыя | |
| PubChem | 31170 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 28914 |
| Бясьпека | |
| Таксічнасьць | таксічны |
| Фасьфід інду ў Вікісховішчы | |
| Калі не пазначана іншае, усе зьвесткі прыведзеныя для стандартных умоваў (25 °C, 100 кПа). | |
Выгляд
рэдагавацьМае гранецэнтраваную кубічную крышталічную структуру, ідэнтычную GaAs і большасьці паўправаднікоў III—V групаў.
Вытворчасьць
рэдагавацьФасьфід інду вырабляюць у рэакцыі белага фосфару зь ёдыдам інду пры 400 °C.[5], альбо пры непасрэдным злучэньні ачышчаных элемэнтаў пад высокімі тэмпэратурай і ціскам, альбо пры тэмпэратурным раскладаньні сумесі трыалькільнага злучэньня інду і фасьфіну[6].
Прымяненьне
рэдагаваць_%D0%93%D0%B5%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D1%96%D1%8F_%D0%BF%D1%80%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B4%D0%B8.jpg)
Дзякуючы надзвычайнай хуткасьці руху электронаў (у параўнаньні з шырокавядомымі паўправаднікамі крэмнам і аршэнідам галю) InP выкарыстоўваецца для вырабу звышвысокачастасьцевых транзыстараў, дыёдаў Гана.
Фасьфід інду мае просты пераход(d), што робіць яго карысным у оптаэлектронных прыладах накшталт сьветладыёдаў, лазэрных дыёдаў, лявінных фотадыёдаў.
Крыніцы
рэдагаваць- ^ а б в INDIUM PHOSPHIDE (анг.)
- ^ Lide, David R. Handbook of Chemistry and Physics. — 87. — Boca Raton, Florida: CRC Press, 1998. — С. 5—20. — ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Lide, David R. Handbook of Chemistry and Physics. — 87. — Boca Raton, Florida: 1998. — С. 4—61. — ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Tien Sheng Chao, Chung Len Lee, Tan Fu Lei The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry // Journal of Materials Science Letters. — 1993. — В. 10. — Т. 12. — С. 721. — DOI:10.1007/BF00626698
- ^ Indium Phosphide at HSDB
- ^ InP manufacture