p-n пераход

p-n пераход уяўляе сабою вобласьць кантакту паўправаднікоў p і n тыпу. Часьцей за ўсё ствараюць p-n пераход на аснове адзінага крышталя шляхам увядзеньня ў яго пасродкам дыфузіі донарнага і акцэптарнага дамешкаў у розных канцэнтрацыях (плаўны пераход). Стварэньне p-n пераходу злучэньнем двух адасобленых паўправаднікоў (рэзкі пераход) прыводзіць да дэфэкту тыпу «Мяжа зерняў», што можа прывесьці да значнага пагаршэньня ягоных уласьцівасьцяў. Адрозьніваюць мэталюргічны і фізычны пераход. Мэталюргічны рэзкі пераход уяўляе сабою паверхню сутыкненьня паміж паўправаднікамі розных тыпаў. Мэталюргічны плаўны пераход — паверхня, на якой шчыльнасьці донараў і акцэптараў аднолькавыя. Фізычны пераход — паверхня, на якой узровень Фэрмі перасякае сярэдзіну забароненай зоны.

P-n пераход валодае пэўнымі цікавымі ўласьцівасьцямі, якія маюць карысныя дастасаваньні ў сучаснай электроніцы і фізыцы. Паўправаднік з p-дамешкам мае адносна вялікую электрычную праводнасьць, бо ў ім маецца вялікая колькасьць дзірак. Тое самае можна сказаць і аб паўправадніку з n-дамешкам, бо ў ім маецца вялікая колькасьць электронаў праводнасьці. Аднак вобласьць пераходу паміж паўправаднікамі мае нізкую электрычную праводнасьць, бо яна зьбедненая носьбітамі зараду. Гэтае абумоўлена тым, што ў гэтай вобласьці носьбіты зараду рэкамбінуюць. А з-за гэтага прыкантактныя вобласьці становяцца электрычна зараджанымі (зарад гэтых абласьцей — ёсьць нескампэнсаваны зарад іёнаў дамешку), узьнікае электрычнае поле, якое супрацьстаіць прыходу ў гэтую вобласьць асноўных носьбітаў зараду. Гэтай зьбедненай вобласьцю можна маніпуляваць, што і робіцца ў паўправадніковым дыёдзе, што прапускае ток у адным кірунку і супрацьстаіць яму ў адваротным кірунку. Гэтая ўласьцівасьць тлумачыцца эфэктамі прамога і зваротнага зруху, дзе панятак зрух азначае прыкладаньне напругі да p-n пераходу. Яшчэ адным дастасаваньнем p-n пераходу зьяўляецца біпалярны транзыстар, які складаецца з двух пасьлядоўна разьмешчаных p-n пераходаў. Самы распаўсюджаны тып сонечных элемэнтаў таксама пабудаваны на p-n пераходзе (фотавальтаічны эфэкт): пад узьдзеяньнем сьвятла генэруюцца пары электрон — дзірка, якія падзяляюцца на p-n пераходзе і ствараюць электрычны ток.

Вынаходніцтва p-n пераходу прыпісваюць Расэлу Олу.