'''Інвэрсны рэжым''' (інверсны актыўны рэжым) - рэжым, якому адпавядае адкрыты стан калектарнага пераходу і закрыты стан эмітарнага пераходу. У сувязі з тым, што ўзмацняльныя ўласцівасьці транзыстара ў інверсным рэжыме значна горшыя, чым у актыўным рэжыме, транзыстар у інверсным рэжыме практычна не выкарыстоўваецца.
'''Рэжым насыченьня''' - рэжым, у якім абодва пераходапераходы транзыстара знаходзяцца ў адкрытым стане. У гэтым рэжыме і эмітар, і калектар інжэктуюць электроны ў базу, у выніку гэтага ў структуры працякаюць два сустрэчных скразных патокаў электронаў (нармальны і інверсныінвэрсны). Ад суадносінысуадносінаў гэтых патокаў залежыць напрамак токаў, якія цякуць у ланцугах эмітара і калектара. У выніку двайной інжэкцыі база транзістаратранзыстара вельмі моцна насычаецца залішнямізалішнімі электронамі, з-заад чаго узмацняеццаўзмацняецца іх рэкамбінацыя ззь дзіркамі, і рэкамбінацыйны ток базы аказваецца значна вышэй, чым у актыўным або інверснымінвэрсным рэжымах.
Трэба таксама сказаць, што ў сувязі з насыченьнемнасычэньнем базы транзыстара і яго пераходаў залішнымізалішнімі носьбітамі зараду, іх супор робіцца вельмі малым. Таму ланцугі, якія утрымліваюць транзыстар, які знаходзіцца ў рэжыме насыченьнянасычэньня, можна лічыць каротказамкнутымікаротка-замкнутымі. Калі браць да ўвагі тое, што ў рэжыме насычэньня напругі паміж электродамі транзыстара складае ўсяго некалькі дзесятыхдзясятых далей вольта, то лічаць, што ў гэтым рэжыме транзыстар уяўляе сабою эквіпатэнцыяльны пункт.
'''Рэжым адсечкі''' - рэжым, у якім абодва перахода транзыстара знаходзяцца ў закрытым стане.
