DRAM ці дынамічная памяць з адвольным доступам (па-ангельску: Dynamic random-access memory) — тып памяці з адвольным доступам, у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным кандэнсатары на мікрасхеме. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца крокам рэгенэрацыі[1]. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца дынамічным, у процівагу SRAM і іншым тыпам статычнай памяці.

Розныя віды DRAM, зьверху ўніз: DIP, SIPP, SIMM (30-pin), SIMM (72-pin), DIMM (168-pin), DDR DIMM (184-pin).

Дынамічная памяць часьцей за ўсё займае ролю асноўнай памяці кампутара. Яна выкарыстоўваецца ў той жа ролі ў ноўтбуках і працоўных станцыях, а таксама ў некаторых гульнявых прыстаўках.

Перавагай DRAM зьяўляецца канструкцыйная простасьць: усяго адзін транзыстар і кандэнсатар на біт інфармацыі. У сваю чаргу, для аднаго біту інфармацыі ў статычнай памяці неабходна чатыры або шэсьць транзыстараў. З гэтай прычыны дасягаецца вялікая шчыльнасьць захаваных зьвестак. Параўнальна з флэш-памяцьцю, DRAM ёсьць энэргазалежнай, бо хутка губляе зьвесткі пасьля страты электрасілкаваньня. Памер транзыстараў і кандэнсатараў у дынамічнай памяці вельмі малы: на адзін чып могуць зьмясьціцца мільярды.

Глядзіце таксама рэдагаваць

Крыніцы рэдагаваць

Вонкавыя спасылкі рэдагаваць

  DRAMсховішча мультымэдыйных матэрыялаў