Біпалярны транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі

Змесціва выдалена Змесціва дададзена
Xqbot (гутаркі | унёсак)
д робат зьмяніў: ar:مقحل زوجي الأقطاب; касмэтычныя зьмены
артаграфія, тэрміналёгія
Радок 7:
== Прынцып дзеяньня транзыстара ==
У актыўным рэжыме работы транзістар уключаны так, што яго эмітарны пераход зрушаны ў прамым напрамку (адкрыты), а калектарны пераход зрушаны ў адваротным напрамку.
Разглядзім npn транзыстар (усе ніжэй напісанае паўтараецца абсалютна аналягічна ў выпадку з pnp транзыстарам, толькі слова «электроны» замяняецца на «дзіркі», і наадварот, а таксама с заменай усіх напружаньняўнапругаў на супрацьлеглыя па знаку). У npn транзыстары электроны - асноўныя носьбіты току ў эмітары - праходзяць праз адкрыты пераход эмітар-база ў вобласць базы. Частка гэтых электронаў [[рэкамбінацыя|рэкамбінуюць]] з асноўнымі носьбітамі зараду ў базе (дзіркамі), частка [[дыфузія|дыфундзіруе]] назад у эмітэр. Аднак, з-за таго што базу робяць вельмі тонкай і вельмі слаба легіраванай, большая частка электронаў, інжэктаваная з эмітару, дыфундзіруе ў вобласьць калектара. Магутнае электрычнае поле адваротна зрушанага калектарнага пераходу захватвае электроны (нагадаем, што яны - неасноўныя носьбіты ў базе, таму для ніх пераход адкрыты), і прыносіць іх у калектар. Ток калектара, такім чынам, практычна роўны току эмітэра, за выключэньнем невялікай страты на рэкамбінацыю ў базе, якая і стварае ток базы (I<sub>э</sub>=I<sub>б</sub> + I<sub>к</sub>). Каэфіцыент α, які зьвязвае ток эмітара і ток калектара (I<sub>к</sub> = α I<sub>э</sub>), называецца каэфіцыентам перадачы тока эмітара. Звычайна ён равен α=(0.9 - 0.999) (чым большы каэфіцыент, тем лепш транзістар). Гэты каэфіцыент мала залежыць ад напружаньнянапругі калектар-база і база-эмітэр. Таму ў шырокім дыяпазоне рабочых напружаньняўнапругаў ток калектара прапарцыянален току базы, каэфіцыент прапарцыйнасьці раўны β = α / (1 − α) (звычайна β=(10 − 1000). Такім чынам, замяняя малы ток базы, можна кіраваць значна большым токам калектара.
 
== Характарыстыкі транзыстара як чатырохполюсніка. Схемы ўключэння з агульнай базай, агульным эмітэрам і агульным калектарам ==
У большасьці электрычным схем транзыстар выкарыстоўваецца ў якасьці чатырохполюсніка (прыстасаваньня, якое мае два уваходных і два выходных вывада), з-за таго, што транзыстар мае толькі тры вывады, для яго выкарыстоўваньня ў якасьці чатырохполюсніка неабходна адзін з вывадаў транзыстара зрабіць агульным для уваходнага і выходнага ланцугоў. Адпаведна адрозьніваюць тры схемы ўключэньня транзыстара: схемы з агульнай базай (АБ), агульным эмітэрам (АЭ) і агульным калектарам (АК).
Для разліку ланцугоў з біпалярнымі транзыстарамі ў наш час выкарыстоўвают h-параметры: транзыстар уяўляюць як чатырохполюснік і запісваюць ураўненьні чатырохполюсніка ў h-параметрах. Каэфіцыенты чатырохполюсніка (h-параметры) выражаюцца наступным чынам:
h11=Uбэ/Iб пры Uкэ=const - уваходнаеуваходны супраціўленьне[[супор]] Rвх, Ом;
h12=Uбэ/Uкэ пры Iб=const - безразмерныбезпамерны каэфіцыент зваротнай сувязисувязі па напружаньнюнапругу;
h21=Iк/Iб пры Uкэ=const - безразмерныбезпамерны каэфіцыент передачы току (β);
h22=Iк/Uкэ пры Iб=const - выходная праводнасьць (1/Rвых), См.
 
Радок 22:
* каэфіцыент узмацненьня па току I<sub>вых</sub>/I<sub>ув</sub>.
Для схемы з агульнай базой I<sub>вых</sub>/I<sub>ув</sub>=I<sub>к</sub>/I<sub>э</sub>=α [α<1])
* уваходнаеуваходны супраціўленьнесупор R<sub>увб</sub>=U<sub>ув</sub>/I<sub>ув</sub>=U<sub>бэ</sub>/I<sub>э</sub>.
УваходнаеУваходны супраціўленьнесупор для схемы э агульнай базай малоемалы і складае дзесяткі Ом, таму што уваходны ланцуг транзыстара пры гэтым уяўляе сабою адкрыты эмітэрны переходпераход транзыстара.
 
Недахопы схемы з агульнай базай:
* Схема не ўзмацняе ток, таму што α < 1
* Малы ўваходны супор
* Малое ўваходнае супраціўленьне
* Дзьве розныя крыніцы напружаньнянапругі для сілкаваньня.
Перавагі:
* Добрыя тэмпэратурныя й частотныя[[частасьць|частасныя]] ўласцівасьці.
 
=== Схема ўключэньня з агульным эмітэрам ===
Радок 42:
'''Інвэрсны рэжым''' (інверсны актыўны рэжым) - рэжым, якому адпавядае адкрыты стан калектарнага пераходу і закрыты стан эмітарнага пераходу. У сувязі з тым, што ўзмацняльныя ўласцівасьці транзыстара ў інверсным рэжыме значна горшыя, чым у актыўным рэжыме, транзыстар у інверсным рэжыме практычна не выкарыстоўваецца.
 
'''РежымРэжым насыченьня''' - рэжым, у якім абодва перахода транзыстара знаходзяцца ў адкрытым стане. У гэтым рэжыме і эмітар, і калектар інжэктуюць электроны ў базу, у выніку гэтага ў структуры працякаюць два сустрэчных скразных патокаў электронаў (нармальны і інверсны). Ад суадносіны гэтых патокаў залежыць напрамак токаў, якія цякуць у ланцугах эмітара і калектара. У выніку двайной інжэкцыі база транзістара вельмі моцна насычаецца залішнямі электронамі, з-за чаго узмацняецца іх рэкамбінацыя з дзіркамі, і рэкамбінацыйны ток базы аказваецца значна вышэй, чым у актыўным або інверсным рэжымах.
Трэба таксама сказаць, што ў сувязі з насыченьнем базы транзыстара і яго пераходаў залішнымі носьбітамі зараду, іх супраціўленьнесупор становіццаробіцца вельмі малым. Таму ланцугі, якія утрымліваюць транзыстар, які знаходзіцца ў рэжыме насыченьня, можна лічыць каротказамкнутымі. Калі браць да ўвагі тое, што ў рэжыме насычэньня напружаньненапругі паміж электродамі транзыстара складае ўсяго некалькі дзесятых далей вольта, то лічаць, што ў гэтым рэжыме транзыстар уяўляе сабою эквіпатэнцыяльны пункт.
 
'''Рэжым адсечкі''' - рэжым, у якім абодва перахода транзыстара знаходзяцца ў закрытым стане.