Інтэгральная схема: розьніца паміж вэрсіямі
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
+пачатак |
афармленьне |
||
Радок 4:
== Віды ==
* Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны).
**''Паўправадніковы''. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з [[крэмн]]а або {{Артыкул у іншым разьдзеле|Арсэнід галія|арсэніда галія|en|Gallium arsenide}}) у выніку спалучэньня {{Артыкул у іншым разьдзеле|Легіраваньне|легіраваньня|en|Doping (semiconductor)}}, [[Аквафортэ|траўленьня]], [[Затляняльна-аднаўленчыя рэакцыі|
**''Стужкавы''. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі.
**''Шматкрышталёвы''. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з [[Кераміка|керамікі]] або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове [[алюмін]]у і яго [[
* Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы.
* Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі<ref name="БЭ"/>.
Радок 14:
== Вонкавыя спасылкі ==
{{Commons}}
[[Катэгорыя:Электронныя кампанэнты]]
[[Катэгорыя:Паўправадніковыя прылады]]
[[Катэгорыя:Вынаходніцтвы]]
| |||