Памяць з адвольным доступам: розьніца паміж вэрсіямі

дапаўненьне, крыніца — http://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=510728464
(крыніца — https://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=509354267)
(дапаўненьне, крыніца — http://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=510728464)
 
Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе {{Артыкул у іншым разьдзеле|Робэрт Дэнард||en|Robert H. Dennard}} вынайшаў [[DRAM]] — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай [[электрычная ёмістасьць|электрычнай ёмістасьці]] транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.
 
== Віды памяці ==
[[Файл:RamTypes.JPG|thumb|Зьверху ўніз, зьлева направа:<br/>[[DDR2 SDRAM|DDR2]] з радыятарам, DDR2 без радыятара, DDR2 для ноўтбукаў, DDR і DDR для ноўтбукаў.]]
Сучасная памяць з адвольным доступам бывае двух відаў: [[SRAM (памяць)|статычная]] (SRAM) і [[DRAM|дынамічная]] (DRAM). Кожны [[біт]] памяці ў SRAM захоўваецца ў асобным [[трыгер]]ы, стан якога адпавядае значэньню біта. Статычная памяць даражэйшая ў вытворчасьці, але працуе хутчэй і спажывае менш электраэнэргіі за DRAM, таму часта выкарыстоўваецца для кэш-памяці ў [[працэсар]]ах. DRAM жа адзін біт трымае ў асобнай ячэйцы памяці — пары транзыстар-кандэнсатар: кандэнсатар утрымлівае вялікі або малы зарад (1 ці 0 адпаведна), а транзыстар грае ролю пераключальніка, які дазваляе счытваць значэньне або зьмяняць яго, зьмяніўшы зарад у кандэнсатары. З-за таго, што падобная схема зьяўляецца таньнейшай, яна атрымала шырэйшае распаўсюджаньне ў сучасных кампутарах.
 
Абодва віды памяці зьяўляюцца ''энэргазалежнымі'' — са стратай электрычнасьці зьнікаюць і зьвесткі. У процівагу, [[памяць толькі для чытаньня]] (ROM) можа захоўвацца і пасьля сканчэньня падачы электрычнасьці шляхам уключэньня ці выключэньня патрэбных транзыстараў, але зьвесткі ня могуць быць зьмененыя. Але ж існуць віды ROM-памяці (напрыклад, [[EEPROM]] ці [[флэш-памяць]]), якія спалучаюць уласьцівасьці ROM- і RAM-памяці, такім чынам дазваляючы захоўваць зьвесткі без падачы току і зьмяняць іх без адмысловых прыладаў. Прыкладамі падобнай памяці зьяўляюцца [[USB]]-флэш-дыскі, карты памяці для тэлефонаў і фотаапаратаў і гэтак далей.
 
[[ECC]]-памяць (якая можа быць як статычнай, гэтак і дынамічнай) зьмяшчае адмысловыя мікрасхемы для выяўленьня і/або выпраўленьня збояў (памылак памяці) ва ўтрыманых зьвестак з дапамогай [[біт цотнасьці|бітаў цотнасьці]] і тэхналёгіяў для [[Карэкцыя памылак|карэкцыі памылак]].
 
== Крыніцы ==
{{зноскі}}
 
== Вонкавыя спасылкі ==
{{commons|RAM}}
 
[[Катэгорыя:Апаратнае забесьпячэньне]]