Біпалярны транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі

Разглядзім npn транзыстар (усе ніжэй напісанае паўтараецца абсалютна аналягічна ў выпадку з pnp транзыстарам, толькі слова «электроны» замяняецца на «дзіркі», і наадварот, а таксама с заменай усіх напругаў на супрацьлеглыя па знаку). У npn транзыстары электроны - асноўныя носьбіты току ў эмітары - праходзяць праз адкрыты пераход эмітар-база ў вобласць базы. Частка гэтых электронаў [[рэкамбінацыя|рэкамбінуюць]] з асноўнымі носьбітамі зараду ў базе (дзіркамі), частка [[дыфузія|дыфундзіруе]] назад у эмітэр. Аднак, з-за таго што базу робяць вельмі тонкай і вельмі слаба легіраванай, большая частка электронаў, інжэктаваная з эмітару, дыфундзіруе ў вобласьць калектара. Магутнае электрычнае поле адваротна зрушанага калектарнага пераходу захватвае электроны (нагадаем, што яны - неасноўныя носьбіты ў базе, таму для ніх пераход адкрыты), і прыносіць іх у калектар. Ток калектара, такім чынам, практычна роўны току эмітэра, за выключэньнем невялікай страты на рэкамбінацыю ў базе, якая і стварае ток базы (I_э=I_б + I_к). Каэфіцыент α, які зьвязвае ток эмітара і ток калектара (I_к = α I_э), называецца каэфіцыентам перадачы тока эмітара. Звычайна ён равен α=(0.9 - 0.999) (чым большы каэфіцыент, тем лепш транзістар). Гэты каэфіцыент мала залежыць ад напругі калектар-база і база-эмітэр. Таму ў шырокім дыяпазоне рабочых напругаў ток калектара прапарцыянален току базы, каэфіцыент прапарцыйнасьці раўны β = α / (1 − α) (звычайна β=(10 − 1000). Такім чынам, замяняя малы ток базы, можна кіраваць значна большым токам калектара.

 

h11=Uбэ/Iб пры Uкэ=const - уваходны [[супор]] Rвх, Ом;

h22=Iк/Uкэ пры Iб=const - выходная праводнасьць (1/Rвых), См.